低成本的CIGS电池使用廉价的Na-Lime玻璃作为基板，溅射技术是制备的主要技术。
因此，Cu，In，Ga，Al和Zn的损失很小。
对于大规模工业生产，如果可以保持相对高电池的效率，则电池的价格将比相应的单晶硅和多晶硅电池的价格低得多。
高效率禁带宽度（1.1eV）适用于太阳光的光电转换;很容易形成一个固体解决方案来控制禁带宽度。
目前，实验室样品效率达到18.8％。
已经大规模生产近二十年的研究表明，CIGS细胞的界面是化学稳定的;亚稳态缺陷对载体有积极影响; Cu漂移是可逆的，并且其漂移在材料中得到缓解。
由化学势产生的缺陷梯度使其对辐射和污染具有高度抗性，因此具有大规模生产的优点。
CIGS电池的精髓：异质pn结太阳能电池材料的窗口吸收结构具有高吸收率，吸收系数高达105个数量级，直接带隙，适用于薄膜，电池厚度可达2~3微米，降低昂贵的材料成本;可调光学带隙，调制Ga / In比，可以改变1.0~1.7eV之间的带隙，可以使吸收带隙和太阳光谱达到最佳匹配;抗辐射能力强，通过电子和质子辐照，温度交替，振动，加速冲击等试验，光电转换效率几乎不变。
它在空间电源方面具有很强的竞争力;稳定性好，许多电池没有光致衰减效应;电池效率高小面积高达19.9％，大面积元件高达14.2％;低光特性，在光照不理想的区域具有出色的性能。
CIGS薄膜太阳能电池的底部电极Mo和上部电极n-ZnO通常采用磁控溅射法，工艺路线相对成熟。
制备最关键的吸收层有许多不同的方法。
这些沉积方法包括蒸发，溅射后硒，电化学沉积，喷雾热解和丝网印刷。
将衬底温度保持在约350℃，并在真空中蒸发In，Ga和Se三种元素，并首先制备（In，Ga）Se预层。
将衬底温度升至550至580℃，并将Cu和Se共蒸发以形成富Cu的CIGS膜。
第二步的衬底温度保持恒定，并且根据需要在富Cu膜的表面上蒸发适量的In，Ga和Se，以最终获得CuIn1-xGaxSe2的膜。
