说到功率半导体，早期的功率半导体器件：大功率二极管，晶闸管等，主要用于工业和电力系统中（因此，它们在早期被称为功率电子器件）。半导体器件在过去也被称为电力电子器件。
简而言之，它是一种执行功率处理并具有处理高电压和大电流的能力的半导体器件。给出一个量，电压处理范围是从几十伏到几千伏，电流容量可以达到几千安。
典型的功率处理包括频率转换，电压转换，电流转换，电源管理等。功率半导体设备，嘿，我自己的事。
后来，随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的飞速发展，功率半导体器件现已非常广泛，在以计算机，通信，消费电子和汽车电子（计算机，通信，消费电子）为代表的4C行业中， Cartronics），功率半导体器件可以说越来越受欢迎。节约能源和保护环境不是必要的吗？低碳生活需要对能源加工进行合理管理。
什么是力量？流行的理解不是幂P = IV吗？因此，有必要有效地控制电压和电流的施加，这与功率设备密不可分！电源管理集成电路（电源管理IC，也称为电源管理IC）已成为功率半导体器件的热点。非常快！在大多数情况下，功率半导体器件都用作开关。
简而言之，开关用于控制电流的通过和切断。然后，理想开关应具有两个基本特性：1.当电流通过时，理想开关两端的电压降为零。
2.切断电流时，理想开关两端的电压可以是任意大小，即从0到无穷大，因此，功率半导体器件的研究与开发正围绕此目标不断发展。当今的功率半导体器件具有非常好的性能，并且在所需的电压和电流处理范围内，它们可以接近相对理想的开关。
好的，很多。让我给您举一些功率半导体器件的例子。
正如我之前所说，功率二极管，晶闸管和功率BJT（即功率双极晶体管）都是第一代产品。相比之下，第二代是以功率MOSFET为代表的新型功率半导体器件，例如VDMOS，LDMOS和IGBT。
VDMOS（垂直双扩散MOSFET）是一种垂直器件，主要用于分立器件。 LDMOS或（横向双扩散MOSFET）是一种水平器件，其三个电极位于硅芯片的表面，易于集成，主要用于功率集成电路领域。
IGBT（绝缘栅双极晶体管）可以被视为功率MOS和功率BJT的新型混合器件。 IGBT目前非常流行，全国才刚刚起步，大量需要IGBT的高科技人才是有前途的。