今天，在文章“任总经理在C9大学校长访问座谈会上的讲话”中，任正非在华为正式发布的声明中明确表示，我国的芯片设计已成为台湾地区世界领先的芯片制造技术。但是，大陆芯片产业最大的问题是制造设备和基础产业。
制造业尚未赶上芯片设计的步伐。由于容易卡住，因此在芯片行业造成了短板效应。
国产芯片设计水平无疑是华为海思的领先地位。任正非表示，国产芯片在设计上处于世界领先地位。
应该说，华为海思在芯片设计方面处于领先地位。在性能方面，华为海思开发的高端芯片可与高通和三星等手机芯片大佬媲美。
从这个方面来说，华为海思确实可以说已经达到了领先水平。在全世界，只有三星和英特尔等少数公司才能完成整套芯片程序。
HiSilicon芯片使用了许多ARM的技术架构，而HiSilicon芯片仍无法完全脱离ARM建立的基础技术。华为海思开发的手机芯片基本上使用ARM的CPU内核和GPU内核的公共版本。
一旦双方的合作遇到障碍，华为将无法跟上世界的步伐。例如，去年的麒麟990 5G芯片和今年的麒麟9000芯片都没有使用最新的公共版本的ARM内核，导致性能落后于高通和三星。
可以看出，华为在先进芯片的开发中实际上受到了ARM的限制。 ARM授予其最先进的技术授权，Huawei HiSilicon可以设计最先进的芯片。
一旦ARM与ARM之间的合作被阻止，其芯片技术就会受到严重阻碍。当然，华为也在建立自己的基础技术。
华为在手机芯片方面确实具有强大的技术优势，但其领先优势实际上有一定的局限性。如果将其投入中国整个芯片行业，中国在芯片设计方面的技术领先地位将受到更大的限制。
芯片种类很多。据统计，全球芯片市场约有一半来自美国。
美国凭借其在全球最大制造业中的地位保持了100多年的历史，在全球芯片行业中占据着绝对的领先地位，这一深厚的积累确立了其在全球芯片行业中的领先地位。芯片产业。
对于中国而言，中国在手机芯片的某些方面仅具有一定的技术领先地位，总体而言，海外芯片公司之间仍存在一定的差距。从各种芯片产业的角度来看，中国的差距更大。
在存储芯片行业，中国的存储芯片才刚刚起步。长江存储和合肥长信去年才开始生产存储芯片。
当然，很高兴长江存储开发了与今年全球主流水平相当的128层NAND闪存，但是中国在全球存储芯片产能中所占的比例仍然太小，而且预计明年将占据超过10％的市场份额。模拟芯片的落后是众所周知的。
据说，中国生产的模拟芯片仅占全球模拟芯片的10％左右，中国生产的模拟芯片主要是低端芯片，几乎所有高端模拟芯片都是进口的。华为在模拟芯片方面几乎完全由美国控制，这个行业可能要花上十年甚至更长的时间才能赶上。
正如俞承东所说，华为公司的实力也很有限。麒麟芯片受到限制的主要原因是因为中国没有高端芯片制造商为麒麟芯片提供服务。
芯片制造中的每台设备和每种材料都非常复杂，而且很难制造。没有高端经验丰富的专家，这是无法完成的。
因此，目前国产芯片最大的问题在于芯片的制造工艺。整个芯片差距在于制造，芯片制造能力和芯片制造设备的研发能力。
它的背后是基础科学，工程科学和应用科学的沉积。因此，我国必须重视装备制造业和化学工业。
化学是材料工业，材料是分子和原子水平的科学。需要更多的顶尖人才和跨领域创新的人才来实现突破。