2020年12月8日新闻在本文中，编辑将为您带来有关SK Hynix的176层TLC 4D NAND闪存的报告。如果您对本文将介绍的内容感兴趣，则不妨继续阅读。
SK Hynix宣布已开发出176层512Gb TLC 4D NAND，并于上个月向主要控制制造商提供了样品。稍后，它将推出容量为1Tb的176层4D NAND。
推出具有176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品。 SK海力士表示，新型176层NAND闪存采用加速技术，数据传输速度提高了33％，达到1.6 Gbps。
明年年中，SK Hynix将推出移动解决方案产品，最大读取速度提高70％，最大写入速度增加35％，并计划推出消费类和企业级SSD产品，以扩大其应用市场。产品。
SK海力士还计划开发基于176层4D NAND的1Tb密度闪存，从而继续增强其在NAND闪存业务中的竞争力。 4D闪存是SK海力士自己的声明，这次有176层被称为第三代，每个晶片都可以切割出更有效的闪存硅。
除了容量增加35％外，闪存单元的读取速度也增加了20％，并且使用加速技术可以将传输速度加快33％，达到1.6Gbps。 SK Hynix 4D NAND结合了3D CTF（电荷捕获闪存）设计和PUC（Peri。
Under Cell）技术。在2019年，它发送了第一代96层4D NAND的样品，并在同年的下个月推出了第二代128层4D NAND。
这次成功开发的176层NAND是第三代4D NAND产品。 SK海力士预计相关产品将于明年年中推出。
目前，主要控制制造商已经在测试样品，有望成为手机闪存领域的第一家。目标是将读取速度提高70％，将写入速度提高35％，并将在将来应用。
用于消费类SSD和企业产品。根据CFM（中国闪存市场）数据，到2020年第三季度，三星的NAND闪存收入仍然排名第一，市场份额为33.3％; Kioxia的市场份额为21.4％，排名第二，Western Digital排名第三。
SK海力士位居第四；美光公司排名第五；英特尔排名第六，长江存储市场占比超过1％，排名第七。在SK海力士之前，美光还发布了176层3D NAND，这是继128层之后的新一代NAND Flash技术的制高点。
值得注意的是，随着美光和SK海力士新技术的加速发展，原厂可能会在2021年直接与176层NAND技术竞争。各个制造商的技术都非常快速地迭代。
NAND颗粒堆叠的数量也在增加。并且在国内制造商的努力下，市场不再那么垄断。
为了获得市场地位，制造商将继续加大对新技术的研发力度。以上所有内容都是小编这次给您带来的介绍。
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