推动节能创新的安森美半导体已发布了一系列新型碳化硅（SiC）和MOSFET器件，适用于功率密度，能效和可靠性至关重要的高要求应用。

设计人员使用新的SiC器件来替代现有的硅开关技术，该技术将用于电动汽车（EV）车载充电器（OBC），太阳能逆变器，服务器电源（PSU），电信和不间断电源（UPS）等应用中）获得了明显更好的性能。

安森美半导体的新汽车标准AECQ101和工业级合格的650伏（V）SiC MOSFET基于一种新型的宽带隙材料，提供了比硅更好的开关性能和更好的热性能，从而提高了系统级的能效，功率密度，并减少电磁干扰（EMI），系统尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650V的击穿电压下实现最佳的品质因数Rsp（Rdson * area）。

NVBG015N065SC1，NTBG015N065SC1，NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装，并且其Rdson（12 mOhm）最低。

该技术还优化了能量损失品质因数，从而优化了汽车和工业应用中的性能。

内置的栅极电阻器（Rg）为设计人员提供了更大的灵活性，而无需使用外部栅极电阻器来人为地降低设备的速度。

更高的浪涌，雪崩能力和短路鲁棒性均有助于增强耐用性，从而提供更高的可靠性和更长的设备寿命。

安森美半导体高级电源部门高级副总裁Asif Jakwani在发布新产品时说：“在现代电源应用中，例如电动汽车（EV）车载充电器（OBC）以及其他应用中，例如可再生能源，企业计算以及电信，高能效，可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。

这些新的SiC MOSFET与同等的硅开关技术相比，性能得到了显着改善，从而使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。

增强的性能减少了损耗，从而提高了能效，降低了热管理要求，并减少了电磁干扰（EMI）。

使用这些新型SiC MOSFET的最终结果是体积更小，重量更轻，效率更高且更可靠的电源解决方案。

新器件全部采用表面贴装，并提供行业标准的封装类型，包括TO247和D2PAK。

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